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NTJD4152P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
350
300
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
QT
250
200
C rss
3
150
2
Q1
Q2
100
50
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
C oss
15
20
1
0
0
0.4
I D = ? 0.88 A
T J = 25 ° C
0.8 1.2 1.6 2
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
0.5
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Gate Charge
0.4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t r
t d(on)
0.3
0.2
t f
V DD = ? 10 V
I D = ? 0.8 A
V GS = ? 4.5 V
0.1
1
1
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
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